В данной работе приведены методики измерения компонент тензора удельного электросопротивления полупроводниковых толстых и тонких (микронных) образцов. Описана оптимизация минимума погрешности измерения в зависимости от геометрических размеров измерительных зондов, а также места расположения зондов на образцах.